IRF7307

IRF7307
یک جفت ترانزیستور قدرت مکمل (N-Channel + P-Channel) با طراحی فشرده و کارایی بالا است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه در پکیج SO-8 برای کاربردهای سوئیچینگ همزمان ساید-های و لو-ساید طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: جفت ترانزیستور قدرت مکمل (Complementary Pair)

• کانال: ۱x N-Channel + ۱x P-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۲۰V

• جریان درین پیوسته: ۴٫۳A (برای هر دو کانال)

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۵۰mΩ

• نوع بسته‌بندی: SO-8

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۲۰V

• جریان درین پیوسته (I_D):

  • N-Channel: ۴٫۳A

  • P-Channel: -۴٫۳A

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۵۰mΩ (در V_GS = ۴٫۵V)

• توان قابل تحمل (P_D): ۲W

💡 کاربردهای اصلی:

• مدارهای درایور موتور DC و استپر موتور

• مبدل‌های DC-DC همزمان

• سوییچ‌های ساید-های و لو-ساید

• سیستم‌های مدیریت باتری (BMS)

• درایورهای پوش-پول (Push-Pull)

• کاربردهای فضامحدود نیازمند هر دو نوع کانال

✅ مزایا:

• طراحی مکمل: یک جفت N-Channel و P-Channel در یک پکیج

• مقاومت روشن بسیار پایین: ۵۰ میلی‌اهم برای تلفات حداقلی

• هماهنگی حرارتی عالی: هر دو ترانزیستور در یک پکیج

• پکیج فشرده: SO-8 برای صرفه‌جویی در فضای PCB

• سوییچینگ سریع: مناسب برای فرکانس‌های کاری بالا

• جریان‌دهی متعادل: ۴٫۳ آمپر برای هر دو کانال

🎯 جمع‌بندی:

IRF7307 یک راه‌حل ایده‌آل برای کاربردهای نیازمند هر دو نوع ترانزیستور N-Channel و P-Channel است. این قطعه با ترکیب دو ترانزیستور مکمل در یک پکیج SO-8، امکان طراحی مدارات فشرده و کارآمد را فراهم می‌کند. مقاومت RDS(on) بسیار پایین (۵۰mΩ) و جریان‌دهی مناسب (۴٫۳A) آن را برای کاربردهای مدرن مدیریت توان ایده‌آل می‌سازد. توجه به طراحی PCB مناسب برای دفع حرارت و استفاده از درایور گیت بهینه برای دستیابی به حداکثر عملکرد ضروری است. این قطعه گزینه‌ای برتر برای پروژه‌های نیازمند چگالی بالا و کارایی عالی در کاربردهای مکمل می‌باشد.