|
  1. All Products
  2. Semiconductors
  3. Discrete Semiconductors
  4. Transistors
  5. IGBT Modules

MG10Q6ES50A

نام کارخانه‌ای
MG10Q6ES50A
پکیج
Module
نوع قطعه
بازسازی شده
بسته‌بندی
Bulk
دیتاشیت

مشخصات MG10Q6ES50A

MG10Q6ES50A از خانواده ماژول آی جی بی تی می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند Toshiba Corporation
  • پکیج Module
  • ولتاژ کلکتور-امیتر 1200 ولت
  • جریان کلکتور 15 آمپر
  • حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
  • اتلاف قدرت 80 وات
  • ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 2.8 ولت
  • حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد


Features
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1200 V ≤ = ≥
DC Collector Current 15 A ≤ = ≥
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.8 V ≤ = ≥
Power Dissipation 80 W ≤ = ≥
Minimum Operating Temperature -40 °C ≤ = ≥
Maximum Operating Temperature 150 °C ≤ = ≥
Brand Toshiba Corporation
Package Module



نظرات
ارسال نظر جدید
سفارش دهید
تحویل 33 روزه
اضافه به سبد