IRF530NPBF

IRF530NPBF

یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N از سری HEXFET است که توسط International Rectifier (اکنون بخشی از Infineon Technologies) تولید شده است. این قطعه در پکیج استاندارد TO-220 ارائه می‌شود و یک راه‌حل متعادل و قابل اعتماد برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ و جریان متوسط ارائه می‌دهد.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس (Vds): 100V

• جریان درین پیوسته (Id): 17A (در 25°C)

• مقاومت روشن (Rds(on)): 90mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-220AB (Through-Hole)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 100V

• جریان درین پیوسته (Id): 17A (در 25°C)

• مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 90mΩ 

• توان قابل تحمل (Pd): 70W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) با توان متوسط

• درایورهای موتور DC و براشلس (BLDC)

• سیستم‌های کنترل توان صنعتی

• مبدل‌های DC-DC

• سیستم‌های UPS و اینورتر

• کنترلرهای روشنایی LED

• درایورهای سولنوئید و رله

• تقویت کننده‌های صوتی کلاس D

✅ مزایا:

• تعادل عالی پارامترها: ترکیب مناسب ولتاژ 100V و جریان 17A

• مقاومت روشن پایین: ۹۰ میلی‌اهم برای تلفات هدایت کم

• پکیج استاندارد TO-220: امکان مدیریت حرارتی مؤثر با هیت‌سینک

• سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط

• قیمت بسیار مقرون به‌صرفه: راه‌حلی اقتصادی برای کاربردهای عمومی

• قابلیت اطمینان بالا: فناوری HEXFET تضمین‌کننده عملکرد پایدار

• در دسترس بودن: از MOSFET‌های پرطرفدار و widely available بازار

🎯 جمع‌بندی:
IRF530NPBF یک MOSFET کانال N همه‌کاره و قابل اعتماد است که تعادل مناسبی بین ولتاژ کاری، جریان و هزینه ارائه می‌دهد. این قطعه برای طیف گسترده‌ای از کاربردهای صنعتی و مصرفی که به عملکرد مطمئن و قیمت بهینه نیاز دارند، گزینه‌ای ایده‌آل محسوب می‌شود. پکیج TO-220 مدیریت حرارتی را ساده می‌کند، اما برای دستیابی به بهترین عملکرد در جریان‌های بالا، استفاده از هیت‌سینک مناسب توصیه می‌شود. این قطعه نمونه‌ای کلاسیک از یک MOSFET عمومی با عملکرد اثبات‌شده و قابلیت اطمینان بالا در طول دهه‌ها استفاده صنعتی است.