BD243C
یک ترانزیستور دو قطبی (BJT) از نوع NPN است که توسط Fairchild Semiconductor تولید شده است. این قطعه در پکیج صنعتی TO-220AB ارائه میشود و یک ترانزیستور قدرت با جریان دهی بالا و اتلاف توان قابل توجه محسوب میشود که برای کاربردهای سوییچینگ و تقویت خطی سنگینتر طراحی شده است.
🧩 مشخصات کلی:
-
نوع: ترانزیستور قدرت دوقطبی (BJT)
-
قطبیت: NPN
-
ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo): 100V
-
جریان کلکتور پیوسته (Ic): 6A
-
اتلاف توان (Pd): 65W (در دمای 25°C کیس)
-
فرکانس قطع (fT): 3MHz
-
نوع بستهبندی: TO-220AB (Through-Hole، با فلنج فلزی برای اتصال به هیتسینک)
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo): 100V
-
حداکثر جریان کلکتور (Ic): 6A
-
حداکثر توان قابل تحمل (Pd): 65W
-
فرکانس قطع (fT): 3MHz
-
دامنه دمای عملیاتی پیوند (Junction): -65°C تا +150°C
💡 کاربردهای اصلی:
-
مراحل خروجی تقویتکنندههای صوتی (Audio Amplifier) توان بالا (کلاس AB) - برای سیستمهای صوتی خانگی و حرفهای.
-
رگولاتورهای ولتاژ خطی سری (Series Pass Regulators) با جریان خروجی بالا.
-
کنترلکنندههای سرعت موتور DC و درایورهای موتور.
-
سوییچینگ بارهای القایی سنگین مانند سولنوئیدهای بزرگ، رلهها و موتورها.
-
منابع تغذیه خطی (Linear Power Supplies) با جریان خروجی چند آمپری.
-
سیستمهای UPS (منبع تغذیه بدون وقفه) آنلاین.
✅ مزایا:
-
جریان کلکتور بالا (6A): قابلیت کنترل مستقیم بارهای با جریان قابل توجه را بدون نیاز به درایورهای اضافی پیچیده فراهم میکند.
-
اتلاف توان بسیار خوب (65W): در کنار پکیج TO-220AB، امکان مدیریت حرارتی بارهای سنگین را میدهد.
-
ولتاژ کاری مناسب (100V): برای کار در مدارات تغذیه تا 48V-60V DC با حاشیه امنیت عالی.
-
پکیج TO-220AB استاندارد: امکان نصب مستقیم و مطمئن روی هیتسینکهای بزرگ.
-
دامنه دمایی عملیاتی بسیار وسیع (-65°C تا +150°C): قابلیت اطمینان بالا برای کاربردهای صنعتی و نظامی.
-
سری BD معروف: از خانوادهای شناختهشده و قابل اعتماد برای ترانزیستورهای قدرت عمومی.
🎯 جمعبندی:
BD243C یک ترانزیستور قدرت NPN سنگینوزن و با جریان دهی بالا است که بهعنوان یک قطعه کلیدی برای طراحیهای خطی و سوییچینگ کمفرکانس پرتوان شناخته میشود. ترکیب جریان 6 آمپر، ولتاژ 100 ولت و توان 65 واتی، آن را به انتخابی ایدهآل برای آمپلیفایرهای صوتی پرتوان، منابع تغذیه خطی جریان بالا و درایورهای موتور/سولنوئید تبدیل میکند. موفقیت در استفاده از این قطعه مستلزم تأمین یک مدار درایور بیس قوی و طراحی حرارتی بسیار جدی و دقیق است. این ترانزیستور نمایندهای از راهحلهای توان بالا و ساده (اما با چالشهای مدیریت حرارتی و درایور) پیش از فراگیر شدن MOSFETهای قدرت است و هنوز در کاربردهای خاص خود یک غول قابل اعتماد محسوب میشود.