IRF7303

IRF7303
یک ترانزیستور قدرت دوگانه MOSFET کانال N با طراحی فشرده و کارایی مناسب است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه در پکیج SO-8 برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت در فضای محدود طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET دوگانه

• کانال: Dual N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۳۰V

• جریان درین پیوسته (هر کانال): ۴٫۹A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۸۰mΩ

• نوع بسته‌بندی: SO-8

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۳۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۴٫۹A (در ۲۵°C برای هر کانال)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۸۰mΩ (در V_GS = ۱۰V)

• توان قابل تحمل (P_D): ۲W

💡 کاربردهای اصلی:

• مدارهای مدیریت توان در پردازنده‌ها

• مبدل‌های DC-DC همزمان

• سیستم‌های توزیع قدرت در مادربردها

• درایورهای موتور DC کوچک

• سوییچ‌های بار در سیستم‌های باتری

• کاربردهای فضامحدود با نیاز به چندین سوییچ

✅ مزایا:

• طراحی دوگانه: دو ترانزیستور مستقل در یک پکیج

• مقاومت روشن پایین: ۸۰ میلی‌اهم برای تلفات هدایت کم

• پکیج فشرده: SO-8 برای صرفه‌جویی در فضای PCB

• سوییچینگ سریع: مناسب برای فرکانس‌های کاری بالا

• جریان‌دهی متعادل: ۴٫۹ آمپر برای هر کانال

• راندمان خوب: تلفات توان پایین در حالت هدایت

🎯 جمع‌بندی:

IRF7303 یک راه‌حل بهینه برای کاربردهای نیازمند چندین سوییچ قدرت در فضای محدود است. این قطعه با ترکیب دو ترانزیستور N-Channel مستقل در یک پکیج SO-8، امکان طراحی مدارات فشرده و کارآمد را فراهم می‌کند. مقاومت RDS(on) پایین (۸۰mΩ) و جریان‌دهی مناسب (۴٫۹A) آن را برای کاربردهای مدرن مدیریت توان ایده‌آل می‌سازد. توجه به محدودیت‌های حرارتی پکیج و طراحی مناسب PCB برای دفع حرارت برای دستیابی به حداکثر عملکرد ضروری است. این قطعه گزینه‌ای ممتاز برای پروژه‌های نیازمند چگالی بالا و کارایی مناسب می‌باشد.