IPP65R190C6

IPP65R190C6 
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با تکنولوژی پیشرفته CoolMOS™ C6 است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ پرسرعت با راندمان بسیار بالا در ولتاژهای فوق‌العاده طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۶۵۰V

• جریان درین پیوسته: ۲۰٫۲A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۱۷۰mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-220AB

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۶۵۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۲۰٫۲A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۱۷۰mΩ (در V_GS = ۱۰V)

• توان قابل تحمل (P_D): ۲۸۰W

• مقاومت حرارتی (R_θJC): ۰٫۵°C/W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ صنعتی (SMPS)

• مبدل‌های PFC (اصلاح ضریب توان)

• اینورترهای خورشیدی و صنعتی

• درایورهای موتور پرسرعت

• سیستم‌های UPS صنعتی

• منابع تغذیه سرور و تجهیزات شبکه

• شارژرهای خودروهای الکتریکی

✅ مزایا:

• راندمان سوئیچینگ استثنایی: به لطف تکنولوژی CoolMOS C6

• سرعت سوئیچینگ بسیار بالا: کاهش قابل توجه تلفات سوئیچینگ

• مقاومت روشن بهینه: ۱۷۰ میلی‌اهم برای تلفات هدایت کم

• ولتاژ کاری فوق‌العاده: ۶۵۰ ولت برای کاربردهای پیشرفته

• پکیج TO-220AB: مدیریت حرارتی عالی

• بهینه‌شده برای فرکانس‌های بسیار بالا: مناسب برای طراحی‌های مدرن

• قابلیت اطمینان فوق‌العاده: عملکرد پایدار در شرایط سخت

🎯 جمع‌بندی:

IPP65R190C6 یک MOSFET قدرت پیشرفته با عملکرد برتر برای کاربردهای پرسرعت و پرولتاژ است. این قطعه با بهره‌گیری از تکنولوژی CoolMOS C6، بهترین تعادل را بین سرعت سوئیچینگ، تلفات پایین و قابلیت اطمینان ارائه می‌دهد. پکیج TO-220AB امکان مدیریت حرارتی مؤثر را فراهم می‌کند. توجه به طراحی دقیق درایور گیت و استفاده از هیت‌سینک مناسب برای دستیابی به حداکثر کارایی این ترانزیستور ضروری است. این قطعه گزینه‌ای ایده‌آل برای پروژه‌های صنعتی نیازمند ولتاژ بسیار بالا و راندمان سوئیچینگ استثنایی می‌باشد.