STP6N120K3

STP6N120K3

یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با تکنولوژی پیشرفته SuperMESH™ K3 است که توسط STMicroelectronics تولید شده است. این قطعه در پکیج TO-220AB ارائه می‌شود و برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ فوق‌العاده بالا و راندمان استثنایی طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس (Vds): 1200V (1.2kV)

• جریان درین پیوسته (Id): 6A (در 25°C)

• مقاومت روشن (Rds(on)): 2.4Ω

• نوع بسته‌بندی: TO-220AB (Through-Hole)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 1200V

• جریان درین پیوسته (Id): 6A (در 25°C)

• مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 2.4Ω 

• توان قابل تحمل (Pd): 85W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ صنعتی (SMPS) با ولتاژ فوق‌العاده بالا

• اینورترهای خورشیدی و صنعتی پیشرفته

• سیستم‌های UPS صنعتی

• مدارهای اصلاح ضریب توان (PFC)

• کنترلرهای روشنایی LED صنعتی با ولتاژ بالا

• منابع تغذیه پزشکی و تجهیزات صنعتی

• سیستم‌های کنترل موتور با ولتاژ بسیار بالا

✅ مزایا:

• ولتاژ کاری فوق‌العاده بالا: 1200 ولت برای پیشرفته‌ترین کاربردهای صنعتی

• تلفات سوئیچینگ بسیار پایین: به لطف تکنولوژی SuperMESH™ K3

• سرعت سوئیچینگ بالا: بهبود کارایی در فرکانس‌های بالا

• ظرفیت خازنی پایین: کاهش تلفات راه‌اندازی و خاموش‌کردن

• پکیج TO-220AB: مدیریت حرارتی مؤثر

• قابلیت اطمینان استثنایی: عملکرد پایدار در سخت‌ترین شرایط کاری

• دیود بدنۀ فوق‌سریع: بازیابی بسیار سریع برای کاربردهای سوییچینگ القایی

🎯 جمع‌بندی:
STP6N120K3 یک MOSFET قدرت پیشرفته با عملکرد برتر برای چالش‌برانگیزترین کاربردهای پرولتاژ است. این قطعه با قابلیت تحمل ولتاژ 1200 ولت و بهره‌گیری از تکنولوژی SuperMESH™ K3، بهترین تعادل را بین ولتاژ کاری فوق‌العاده بالا، تلفات پایین و قابلیت اطمینان ارائه می‌دهد. پکیج TO-220AB امکان مدیریت حرارتی مناسب را فراهم می‌کند. توجه به طراحی بسیار دقیق درایور گیت و استفاده از هیت‌سینک با کیفیت برای دستیابی به حداکثر کارایی این ترانزیستور در کاربردهای ولتاژ فوق‌العاده بالا کاملاً ضروری است. این قطعه گزینه‌ای ایده‌آل برای پروژه‌های صنعتی که به بالاترین سطح ولتاژ و راندمان سوئیچینگ استثنایی نیاز دارند، می‌باشد.