مشخصات MRF630
MRF630 از خانواده ترانزیستور دو قطبی RF میباشد. ویژگیهای فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
- برند Advanced Semiconductor
- پکیج TO-39
- نوع پیکربندی Single
- منفی یا مثبت NPN قطب
- اتلاف قدرت 8.75 وات
- ولتاژ کلکتور-امیتر 16 ولت
- جریان کلکتور 1 آمپر
- فرکانس 470 مگا هرتز
- نوع نصب روی برد Through Hole
- حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
- حداکثر دمای عملیاتی 200 درجه سانتیگراد
- ولتاژ پایه امیتر 4 ولت
- نوع Silicon RF Power Transistors
- فن آوری Si
- بهره تقویت 20 بتا