|
  1. All Products
  2. Semiconductors
  3. Discrete Semiconductors
  4. Transistors
  5. IGBT Transistors

IHW30N110R3

نام کارخانه‌ای
IHW30N110R3
پکیج
TO-247AD (TO-3P)
دیتاشیت

مشخصات IHW30N110R3

IHW30N110R3 از خانواده آی جی بی تی می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند Infineon Technologies
  • پکیج TO-247AD (TO-3P)
  • نوع نصب روی برد Through Hole
  • ولتاژ کلکتور-امیتر 1100 ولت
  • نوع پیکربندی Single
  • جریان کلکتور 60 آمپر
  • حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
  • حداکثر دمای عملیاتی +175 درجه سانتیگراد
  • ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 1.55 ولت
  • اتلاف قدرت 333 وات
  • حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 20 ولت


Features
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1100 V ≤ = ≥
DC Collector Current 60 A ≤ = ≥
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.55 V ≤ = ≥
Configuration Single
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V ≤ = ≥
Power Dissipation 333 W ≤ = ≥
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -40 °C ≤ = ≥
Maximum Operating Temperature +175 °C ≤ = ≥
Brand Infineon Technologies
Package TO-247AD (TO-3P)



نظرات
ارسال نظر جدید
سفارش دهید
تحویل 35 روزه
اضافه به سبد