TCET1108G

نام کارخانه‌ای:
TCET1108G
پکیج:
DIP-4
بسته‌بندی:
Tube - 100 عدد
دیتاشیت:

روش‌های ارسال‌ متنوع سفارش خارج چت آنلاین پیش خرید هوشمندانه


مشخصات TCET1108G

TCET1108G از خانواده آی سی اپتو ترانزیستور می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند Vishay
  • پکیج DIP-4
  • حداقل نسبت انتقال فعلی 130 درصد
  • ولتاژ معکوس 6 ولت
  • جریان 60 میلی آمپر
  • ولتاژ کلکتور-امیتر 70 ولت
  • جریان کلکتور 50 میلی آمپر
  • حداکثر دمای عملیاتی 100 درجه سانتیگراد
  • حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
  • ولتاژ مستقیم 1.25 ولت
  • ولتاژ جداسازی 5 کیلو ولت
  • نوع نصب روی برد Through Hole
  • تعداد کانال 1 کانال
  • نوع خروجی NPN Phototransistor


Features انتخاب ویژگی
Number of Channels 1 Channel =
Forward Current (If) 60 mA =
Reverse Voltage (Vrrm) 6 V =
Collector Emitter Voltage (VCEO) 70 V =
DC Collector Current 50 mA =
Output Type NPN Phototransistor
Forward Voltage (Vf) 1.25 V =
Isolation Voltage 5 kVrms =
Current Transfer Ratio (Min) 130 % =
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -40 °C =
Maximum Operating Temperature 100 °C =
Brand Vishay
Package DIP-4




نظرات

ناموجود-سفارش دهید
زمان تحویل 31 روزه

  1. محصول را به سبد سفارش اضافه کنید.
  2. ادامه فرآیند سبد سفارش را دنبال کنید.
  3. درخواست شما توسط کارشناسان جوان الکترونیک بررسی می‌شود.
  4. قیمت و زمان تحویل به شما پیشنهاد داده خواهد شد.
  5. در صورت تمایل پیش فاکتور صادر می شود.
  6. پیش پرداخت را واریز کنید و ادامه کار را به جوان الکترونیک بسپارید.
  7. اجناس خود را در زمان مقرر دریافت کنید.
93