MTD20N03HL

MTD20N03HL

یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با تکنولوژی پیشرفته است که توسط ON Semiconductor تولید شده است. این قطعه در پکیج سطح‌بندی شده D-PAK ارائه می‌شود و راه‌حلی بهینه برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ پایین و جریان بالا در طراحی‌های مدرن مبتنی بر SMD است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس (Vds): 30V

• جریان درین پیوسته (Id): 20A (در 25°C)

• مقاومت روشن (Rds(on)): 35mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-252 (DPAK) (SMD/SMT)

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 30V

• جریان درین پیوسته (Id): 20A (در 25°C)

• مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 35mΩ

• توان قابل تحمل (Pd): 45W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) با ولتاژ پایین و جریان بالا

• درایورهای موتور DC و براشلس (BLDC)

• سیستم‌های مدیریت باتری و کنترل شارژ

• مبدل‌های DC-DC سینک و باک (Sync & Buck Converters)

• سیستم‌های قطع و وصل بار (Load Switching) پرقدرت

• منابع تغذیه خودروهای الکتریکی و سیستم‌های 12V/24V

• کنترلرهای روشنایی LED پرقدرت

✅ مزایا:

• مقاومت روشن پایین: ۳۵ میلی‌اهم برای تلفات هدایت حداقلی

• جریان عبوری بالا: قابلیت تحمل جریان ۲۰ آمپری

• پکیج DPAK بهینه: مدیریت حرارتی مؤثر از طریق تَب (Tab) فلزی

• سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس بالا

• راندمان بالا: تلفات هدایت و سوئیچینگ بسیار پایین

• قابلیت اطمینان: عملکرد پایدار در شرایط کاری

• نصب سطحی (SMD): مناسب برای تولید انبوه و صرفه‌جویی در فضا

🎯 جمع‌بندی:
MTD20N03HL یک MOSFET کانال N کارآمد و فشرده است که ترکیب مناسبی از جریان بالا (20A) و مقاومت روشن پایین (35mΩ) را در پکیج سطح‌بندی شده DPAK ارائه می‌دهد. این قطعه برای طراحی‌های مدرنی که به کارایی بالا در فضای محدود نیاز دارند، گزینه‌ای ایده‌آل محسوب می‌شود. پکیج DPAK امکان مدیریت حرارتی نسبتاً خوبی را فراهم می‌کند، اما برای دستیابی به بهترین عملکرد در جریان‌های بالا، طراحی بهینه PCB برای دفع حرارت از طریق pad مسی کافی کاملاً ضروری است. این قطعه نمونه‌ای متعادل از عملکرد، اندازه و هزینه برای کاربردهای کم‌ولتاژ و پرجریان است.