|
  1. All Products
  2. Semiconductors
  3. Discrete Semiconductors
  4. Transistors
  5. IGBT Modules

BSM50GB120DN2

نام کارخانه‌ای
BSM50GB120DN2
پکیج
Module
نوع قطعه
بازسازی شده
بسته‌بندی
Bulk
دیتاشیت

مشخصات BSM50GB120DN2

BSM50GB120DN2 از خانواده ماژول آی جی بی تی می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند Siemens Semiconductor Group
  • پکیج Module
  • ولتاژ کلکتور-امیتر 1200 ولت
  • جریان کلکتور 78 آمپر
  • حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
  • ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 2.5 ولت
  • اتلاف قدرت 400 وات
  • نوع پیکربندی Half Bridge
  • حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد


Features
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1200 V ≤ = ≥
DC Collector Current 78 A ≤ = ≥
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V ≤ = ≥
Configuration Half Bridge
Power Dissipation 400 W ≤ = ≥
Minimum Operating Temperature -40 °C ≤ = ≥
Maximum Operating Temperature 150 °C ≤ = ≥
Brand Siemens Semiconductor Group
Package Module



نظرات
ارسال نظر جدید
سفارش دهید
تحویل 33 روزه
اضافه به سبد