FQA10N80

FQA10N80C N-Channel Power MOSFET
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با ولتاژ بالا و قابلیت‌های سوئیچینگ قابل اطمینان است که توسط Fairchild Semiconductor (اکنون بخشی از ON Semiconductor) تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ پرتوان در منابع تغذیه و درایوهای صنعتی طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۸۰۰V

• جریان درین پیوسته: ۱۰A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۱٫۰۵Ω

• نوع بسته‌بندی: TO-247AD

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۸۰۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۱۰A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۱٫۰۵Ω (در V_GS = ۱۰V)

• ولتاژ گیت-سورس (V_GS): ±۳۰V

• آستانه ولتاژ گیت (V_GS(th)): ۳-۵V

• ظرفیت خازن ورودی (C_iss): ۱۳۵۰pF

• توان قابل تحمل (P_D): ۲۵۰W

• مقاومت حرارتی (R_θJC): ۰٫۵°C/W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)

• اینورترهای صنعتی

• کنترل‌کننده‌های موتور

• سیستم‌های روشنایی

• منابع تغذیه سخت‌افزارهای صنعتی

• مبدل‌های DC-DC

✅ مزایا:

• ولتاژ بالا: قابلیت کار در مدارهای ۸۰۰ ولتی

• سوئیچینگ سریع: مناسب برای فرکانس‌های کاری بالا

• پکیج TO-247: قابلیت dissipate حرارتی عالی

• قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط سخت

• مقاومت در برابر avalanche: تحمل ولتاژهای لحظه‌ای بالا

• هزینه بهینه: راه‌حل مقرون به‌صرفه برای کاربردهای صنعتی

🎯 جمع‌بندی:

FQA10N80C یک MOSFET قدرت با کارایی قابل اطمینان برای کاربردهای سوئیچینگ پرولتاژ است. این قطعه با بهره‌گیری از تکنولوژی پیشرفته Fairchild، تعادل مناسبی بین عملکرد و هزینه ارائه می‌دهد. طراحی بهینه با پکیج TO-247AD امکان مدیریت حرارتی مؤثر را فراهم می‌کند. توجه به طراحی صحیح درایور گیت و استفاده از هیت‌سینک مناسب برای دستیابی به حداکثر کارایی این ترانزیستور ضروری است. این قطعه گزینه‌ای ایده‌آل برای پروژه‌های صنعتی نیازمند ولتاژ بالا و قابلیت اطمینان مناسب می‌باشد.