IRFR13N20DTRPBF
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N از سری HEXFET است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه در پکیج سطحبندی شده D-PAK ارائه میشود و با ترکیب ولتاژ کاری بالا، جریان قابل توجه و مقاومت روشن پایین، راهحلی ایدهآل برای کاربردهای سوئیچینگ پرسرعت و کارآمد در محدوده ولتاژ متوسط ارائه میدهد.
🧩 مشخصات کلی:
-
نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET
-
کانال: N-Channel
-
ولتاژ درین-سورس (Vds): 200V
-
جریان درین پیوسته (Id): 13A (در 25°C)
-
مقاومت روشن (Rds(on)): 235mΩ
-
نوع بستهبندی: TO-252 (DPAK) (SMD/SMT)
⚙️ مشخصات فنی کلیدی:
-
حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 200V
-
جریان درین پیوسته (Id): 13A (در 25°C)
-
مقاومت درین-سورس (Rds(on)): 235mΩ
-
توان قابل تحمل (Pd): 50W
💡 کاربردهای اصلی:
-
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) صنعتی
-
درایورهای موتور DC و براشلس (BLDC)
-
سیستمهای UPS و اینورتر
-
مبدلهای DC-DC با توان متوسط
-
کنترلکنندههای روشنایی LED صنعتی
-
سیستمهای جابجایی بار (Load Switching) با جریان بالا
-
منابع تغذیه سرور و تجهیزات شبکه
✅ مزایا:
-
تعادل عالی پارامترها: ترکیب بهینهای از ولتاژ بالا (200V)، جریان زیاد (13A) و مقاومت روشن پایین (235mΩ)
-
سوئیچینگ پرسرعت: بهینهشده برای کاربردهای فرکانس بالا
-
پکیج DPAK: مدیریت حرارتی مؤثر از طریق تَب (Tab) فلزی برای اتلاف توان بهتر
-
راندمان بالا: تلفات هدایت و سوئیچینگ پایین
-
دیود بدنۀ داخلی: دارای دیود بدنۀ بازیابی سریع برای کاربردهای سوییچینگ القایی
-
قابلیت اطمینان: فناوری HEXFET تضمینکننده عملکرد پایدار در شرایط کاری سخت
-
نصب سطحی (SMD): مناسب برای تولید انبوه و صرفهجویی در فضای PCB
🎯 جمعبندی:
IRFR13N20DTRPBF یک MOSFET قدرت کارآمد و همهکاره است که تعادل برجستهای بین ولتاژ، جریان و سرعت ارائه میدهد. این قطعه برای طراحیهای مدرن منابع تغذیه و درایورهای موتور که به کارایی بالا و قابلیت اطمینان نیاز دارند، گزینهای ایدهآل محسوب میشود. پکیج DPAK امکان مدیریت حرارتی مؤثری را فراهم میکند، اما برای دستیابی به حداکثر توان قابل تحمل، طراحی دقیق مسیرهای حرارتی روی PCB و در نظر گرفتن هیتسینک مناسب در صورت نیاز ضروری است. این قطعه نمونهای عالی از تلفیق عملکرد قدرتمند با قابلیت نصب سطحی برای کاربردهای صنعتی است.