H5DU5162ETR-E3C

نام کارخانه‌ای:
H5DU5162ETR-E3C
پکیج:
TSOP-66
نوع قطعه:
بازسازی شده
بسته‌بندی:
Bulk - 1 عدد

روش‌های ارسال‌ متنوع سفارش خارج چت آنلاین پیش خرید هوشمندانه


مشخصات H5DU5162ETR-E3C

H5DU5162ETR-E3C از خانواده آی سی رم داینامیک می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند Hynix Semiconductor
  • پکیج TSOP-66
  • مقدار حافظه 512 مگا بیت
  • نوع نصب روی برد SMD
  • حداکثر ولتاژ تغذیه 2.7 ولت
  • حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
  • حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
  • سازمان 32M x 16
  • زمان دسترسی 30 پیکو ثانیه
  • نوع DDR SDRAM
  • حداکثر فرکانس کاری 266 مگا هرتز
  • عرض گذرگاه داده 16 بیت

H5DU5162ETR-E3C
یک آیسی حافظه DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory) با ظرفیت ۵۱۲ مگابیت از نسل اول حافظه‌های DDR است که توسط Hynix Semiconductor تولید شده است. این قطعه در پکیج TSOP-66 برای نصب سطحی (SMD/SMT) عرضه می‌شود و یک حافظه ۵۱۲ مگابیت (32M × ۱۶) با فرکانس کاری ۲۶۶ مگاهرتز (DDR-533) و زمان دسترسی فوق‌العاده سریع ۳۰ پیکوثانیه (در واقع tAC) است. این حافظه با پهنای گذرگاه ۱۶ بیتی، گزینه‌ای ایده آل برای ماژول‌های حافظه، سیستم‌های نهفته پرسرعت و تجهیزات شبکه‌ای است که به پهنای باند بالا و چگالی زیاد نیاز دارند.

🧩 مشخصات کلی:

  • نوع: DDR SDRAM (حافظه دینامیک هم‌زمان با نرخ داده دوگانه) – نسل اول DDR با انتقال داده در هر دو لبه کلاک

  • ظرفیت: ۵۱۲ مگابیت (معادل ۶۴ مگابایت)

  • سازمان‌دهی: 32M × ۱۶ (32 میلیون کلمه ۱۶ بیتی) – هر تراشه یک گذرگاه ۱۶ بیتی را مستقیماً پشتیبانی می‌کند

  • حداکثر فرکانس کاری: ۲۶۶ مگاهرتز – نرخ انتقال داده مؤثر ۵۳۳ میلیون انتقال بر ثانیه (DDR-533)

  • زمان دسترسی (Access Time): ۳۰ پیکوثانیه (tAC) – سرعت سوئیچینگ بی‌نهایت بالا برای خروجی‌های داده

  • پهنای گذرگاه داده: ۱۶ بیت – امکان تشکیل گذرگاه‌های عریض‌تر با استفاده از تراشه‌های موازی

  • ولتاژ تغذیه (VDD): حداکثر ۲.۷ ولت – استاندارد SSTL_2 برای DDR1

  • نوع بسته‌بندی: TSOP-66 (SMD/SMT) – پکیج باریک ۶۶ پایه، نصب سطحی و سازگار با استانداردهای صنعتی

  • دمای کاری: ۰ تا +۷۰ درجه سانتی‌گراد (کامرشال)

  • برند: Hynix Semiconductor – از بزرگترین و معتبرترین تولیدکنندگان حافظه‌های DRAM در جهان

💡 کاربردهای اصلی:

  • ماژول‌های حافظه کامپیوترهای شخصی: ساخت DIMM/SODIMMهای DDR با چگالی بالا برای کامپیوترهای رومیزی و لپ‌تاپ‌های اوایل دهه ۲۰۰۰

  • سیستم‌های نهفته پیشرفته: روترها، سوئیچ‌ها، فایروال‌ها و تجهیزات مخابراتی که به حافظه پرسرعت و کم‌مصرف نیاز دارند

  • کارت‌های گرافیک قدیمی: استفاده به عنوان حافظه ویدئویی در کارت‌های گرافیک نسل DDR

  • تجهیزات صنعتی و پزشکی: سیستم‌های تصویربرداری، کنترل‌کننده‌های منطقی و دستگاه‌های اندازه‌گیری

  • کنسول‌های بازی و ست‌تاپ باکس‌ها: ذخیره‌سازی موقت داده‌های گرافیکی و صوتی

  • پروژه‌های DIY و نمونه‌سازی: به دلیل پکیج TSOP که لحیم‌کاری آن نسبتاً آسان است

 مزایا:

  • سازمان‌دهی 32M × ۱۶: حداکثر تراکم در یک تراشه با گذرگاه ۱۶ بیتی، کاهش تعداد قطعات و ساده‌سازی طراحی

  • فرکانس ۲۶۶ مگاهرتز و DDR-533: پهنای باند بسیار بالا برای کاربردهای پرترافیک

  • پکیج TSOP-66: نصب آسان، سازگار با فرآیندهای مونتاژ استاندارد، ابعاد مناسب

🎯 جمع‌بندی:
H5DU5162ETR-E3C یک تراشه حافظه DDR SDRAM با ظرفیت ۵۱۲ مگابیت (32M × ۱۶) از Hynix در پکیج TSOP-66 است. این قطعه با فرکانس ۲۶۶ مگاهرتز، نرخ داده DDR-533، یک راه‌حل پرسرعت، کم‌مصرف و فوق‌العاده متراکم برای ذخیره‌سازی داده‌ها در سیستم‌های نهفته، تجهیزات شبکه و ماژول‌های حافظه است. H5DU5162ETR-E3C با بهره‌گیری از فناوری DDR و کیفیت ساخت Hynix، ترکیبی از پهنای باند بالا، قابلیت اطمینان و ارزش اقتصادی را برای مهندسانی که به دنبال یک حافظه قدرتمند و استاندارد با گذرگاه ۱۶ بیتی هستند، به ارمغان می‌آورد.



Features انتخاب ویژگی
Memory Size 512 Mbit =
Organization 32M x 16
Maximum Clock Frequency 266 MHz =
Access Time 30 ps =
Data Bus Width 16 bit
Type DDR SDRAM
Mounting Style SMD
Supply Voltage (Max) 2.7 V =
Minimum Operating Temperature 0 °C =
Maximum Operating Temperature +70 °C =
Brand Hynix Semiconductor
Package TSOP-66



نظرات

موجود در انبار
88
1,890,000 ریال