مشخصات HY62WT08081E-DGE
HY62WT08081E-DGE از خانواده آی سی رم استاتیک میباشد. ویژگیهای فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
- برند Hynix Semiconductor
- پکیج SO-28
- سازمان 32K x 8
- حداکثر ولتاژ تغذیه 3.6 ولت
- حداقل ولتاژ تغذیه 2.7 ولت
- حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
- حداکثر دمای عملیاتی 85 درجه سانتیگراد
- نوع نصب روی برد SMD/SMT
- مقدار حافظه 256 کیلو بیت
- زمان دسترسی 70 نانو ثانیه