IPW65R080CFD

IPW65R080CFD
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با تکنولوژی پیشرفته CoolMOS™ CFD7 است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ پرسرعت و پرراندمان در ولتاژهای بالا طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۶۵۰V

• جریان درین پیوسته: ۴۳٫۳A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۷۲mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-247AC

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۶۵۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۴۳٫۳A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۷۲mΩ (در V_GS = ۱۵V)

• توان قابل تحمل (P_D): ۴۰۰W

• مقاومت حرارتی (R_θJC): ۰٫۳°C/W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ با فرکانس بالا (SMPS)

• مبدل‌های PFC (اصلاح ضریب توان)

• اینورترهای صنعتی و خورشیدی

• درایورهای موتور پرسرعت

• سیستم‌های UPS صنعتی

• شارژرهای خودروهای الکتریکی

• منابع تغذیه سرور

✅ مزایا:

• راندمان سوئیچینگ فوق‌العاده: به لطف تکنولوژی CoolMOS CFD7

• سرعت سوئیچینگ بسیار بالا: کاهش تلفات سوئیچینگ

• مقاومت روشن پایین: ۷۲ میلی‌اهم برای تلفات هدایت کم

• ولتاژ کاری بالا: ۶۵۰ ولت برای کاربردهای صنعتی

• پکیج TO-247AC: مدیریت حرارتی عالی

• بهینه‌شده برای فرکانس‌های بالا: مناسب برای طراحی‌های مدرن

• قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط سخت

🎯 جمع‌بندی:

IPW65R080CFD یک MOSFET قدرت پیشرفته با قابلیت‌های استثنایی برای کاربردهای پرسرعت و پرولتاژ است. این قطعه با بهره‌گیری از تکنولوژی CoolMOS CFD7، بهترین تعادل را بین سرعت سوئیچینگ، تلفات پایین و قابلیت اطمینان ارائه می‌دهد. پکیج TO-247AC امکان مدیریت حرارتی مؤثر را فراهم می‌کند. توجه به طراحی دقیق درایور گیت و استفاده از هیت‌سینک مناسب برای دستیابی به حداکثر کارایی این ترانزیستور ضروری است. این قطعه گزینه‌ای ایده‌آل برای پروژه‌های صنعتی نیازمند ولتاژ بالا و راندمان سوئیچینگ استثنایی می‌باشد.