IRFP4668PBF

IRFP4668PBF
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با قابلیت‌های فوق‌العاده برای کاربردهای بسیار پرتوان است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه با مقاومت درین-سورس فوق‌العاده پایین، برای کاربردهای سوئیچینگ با جریان بسیار بالا و تلفات حداقلی طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۲۰۰V

• جریان درین پیوسته: ۱۳۰A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۹٫۷mΩ

• نوع بسته‌بندی: TO-247AC

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۲۰۰V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۱۳۰A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۹٫۷mΩ (در V_GS = ۱۰V)

• توان قابل تحمل (P_D): ۵۰۰W

• مقاومت حرارتی (R_θJC): ۰٫۲۵°C/W

💡 کاربردهای اصلی:

• منابع تغذیه سوئیچینگ صنعتی فوق‌پرتوا

• درایورهای موتور DC و سروو با جریان بسیار بالا

• سیستم‌های تبدیل توان خودرویی و صنعتی

• مبدل‌های DC-DC با جریان فوق‌العاده بالا

• سیستم‌های جوشکاری صنعتی پیشرفته

• منابع تغذیه سرور و مراکز داده پرتوان

• کنترل‌کننده‌های توان صنعتی

✅ مزایا:

• مقاومت روشن فوق‌العاده پایین: تنها ۹٫۷ میلی‌اهم - کمترین تلفات هدایت

• جریان‌دهی استثنایی: ۱۳۰ آمپر پیوسته

• ولتاژ کاری مناسب: ۲۰۰ ولت برای کاربردهای صنعتی

• پکیج TO-247AC: مدیریت حرارتی عالی برای توان بسیار بالا

• سوئیچینگ کارآمد: مناسب برای فرکانس‌های کاری بالا

• راندمان بی‌نظیر: تلفات توان بسیار پایین

• قابلیت اطمینان بالا: عملکرد پایدار در شرایط سخت

🎯 جمع‌بندی:

IRFP4668PBF یک MOSFET قدرت با عملکرد استثنایی در کلاس خود محسوب می‌شود. این قطعه با ترکیب مقاومت RDS(on) فوق‌العاده پایین (۹٫۷mΩ) و قابلیت جریان‌دهی ۱۳۰ آمپری، راه‌حلی ایده‌آل برای کاربردهای بسیار پرتوان با نیاز به راندمان حداکثری ارائه می‌دهد. پکیج TO-247AC امکان مدیریت حرارتی مؤثر را فراهم کرده و برای کاربردهای با توان بسیار بالا مناسب است. توجه به طراحی دقیق درایور گیت (با توجه به بار گیت ۲۲۰nC) و استفاده از هیت‌سینک بسیار قوی برای دستیابی به حداکثر کارایی این ترانزیستور ضروری است. این قطعه گزینه‌ای برتر برای پروژه‌های صنعتی نیازمند جریان فوق‌العاده بالا و راندمان پایدار می‌باشد.