مشخصات BLT82
BLT82 از خانواده ترانزیستور دو قطبی RF می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
- برند Philips Semiconductor
- پکیج SO-8 (SOP-8)
- منفی یا مثبت NPN قطب
- اتلاف قدرت 1.9 وات
- ولتاژ کلکتور-امیتر 10 ولت
- جریان کلکتور 1 آمپر
- نوع نصب روی برد SMD/SMT
- حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
- حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
- ولتاژ پایه امیتر 3.5 ولت
- نوع Silicon Planar Epitaxial Transistors
- فرکانس 900 مگا هرتز
- نوع پیکربندی Single
- فن آوری Si
- بهره تقویت 150 بتا