LM6361N

نام کارخانه‌ای
LM6361N
پکیج
DIP-8
نوع قطعه
بازسازی شده
بسته‌بندی
Tube - 50 عدد
دیتاشیت

مشخصات LM6361N

LM6361N از خانواده آی سی تقویت کننده عملیاتی سریع می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند National Semiconductor
  • پکیج DIP-8
  • نوع نصب روی برد Through Hole
  • تعداد کانال 1 کانال
  • فرکانس 35 مگا هرتز
  • حداکثر ولتاژ تغذیه 32 ولت
  • حداقل ولتاژ تغذیه 4.75 ولت
  • حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
  • حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
  • جریان تامین 6.8 میلی آمپر
  • نوع تغذیه Single|Dual ساپورت
  • سرعت 200 ولت بر میکروثانیه
  • جریان ورودی 5 میکرو آمپر
  • ولتاژ ورودی افست 20 میلی ولت
  • تراکم جریان ورودی ورودی 1.5 pA/sqrt هرتز
  • جریان ورودی افست 1.5 میکرو آمپر


Features
Number of Channels 1 Channel =
Gain Bandwidth Product (fT) 35 MHz =
Supply Type Single|Dual Supply
Slew Rate 200 V/µs =
Input Bias Current 5 µA =
Input Offset Voltage 20 mV =
Input Noise Current Density 1.5 pA/sqrt Hz =
Input Offset Current 1.5 µA =
Mounting Style Through Hole
Supply Current 6.8 mA =
Supply Voltage (Min) 4.75 V =
Supply Voltage (Max) 32 V =
Minimum Operating Temperature 0 °C =
Maximum Operating Temperature +70 °C =
Brand National Semiconductor
Package DIP-8




نظرات

سفارش دهید
تحویل 33 روزه