مشخصات LM6361N
LM6361N از خانواده آی سی تقویت کننده عملیاتی سریع می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:
- برند National Semiconductor
- پکیج DIP-8
- نوع نصب روی برد Through Hole
- تعداد کانال 1 کانال
- فرکانس 35 مگا هرتز
- حداکثر ولتاژ تغذیه 32 ولت
- حداقل ولتاژ تغذیه 4.75 ولت
- حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
- حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
- جریان تامین 6.8 میلی آمپر
- نوع تغذیه Single|Dual ساپورت
- سرعت 200 ولت بر میکروثانیه
- جریان ورودی 5 میکرو آمپر
- ولتاژ ورودی افست 20 میلی ولت
- تراکم جریان ورودی ورودی 1.5 pA/sqrt هرتز
- جریان ورودی افست 1.5 میکرو آمپر
