EL817B

نام کارخانه‌ای:
EL817B
پکیج:
DIP-4
بسته‌بندی:
Tube - 100 عدد
حداقل:
150 عدد
دیتاشیت:

روش‌های ارسال‌ متنوع سفارش خارج چت آنلاین پیش خرید هوشمندانه


مشخصات EL817B

EL817B از خانواده آی سی اپتو ترانزیستور می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند Everlight Electronics
  • پکیج DIP-4
  • نوع نصب روی برد Through Hole
  • تعداد کانال 1 کانال
  • نوع خروجی NPN Phototransistor
  • جریان 50 میلی آمپر
  • ولتاژ معکوس 6 ولت
  • ولتاژ کلکتور-امیتر 35 ولت
  • حداقل دمای عملیاتی -55 درجه سانتیگراد
  • حداکثر دمای عملیاتی 110 درجه سانتیگراد
  • ولتاژ جداسازی 5 کیلو ولت
  • ولتاژ مستقیم 1.2 ولت
  • جریان کلکتور 50 میلی آمپر
  • حداقل نسبت انتقال فعلی 130 درصد


Features انتخاب ویژگی
Number of Channels 1 Channel =
Forward Current (If) 50 mA =
Output Type NPN Phototransistor
Reverse Voltage (Vrrm) 6 V =
Collector Emitter Voltage (VCEO) 35 V =
DC Collector Current 50 mA =
Isolation Voltage 5 kVrms =
Forward Voltage (Vf) 1.2 V =
Current Transfer Ratio (Min) 130 % =
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 °C =
Maximum Operating Temperature 110 °C =
Brand Everlight Electronics
Package DIP-4




نظرات

ناموجود-سفارش دهید
زمان تحویل 35 روزه

  1. محصول را به سبد سفارش اضافه کنید.
  2. ادامه فرآیند سبد سفارش را دنبال کنید.
  3. درخواست شما توسط کارشناسان جوان الکترونیک بررسی می‌شود.
  4. قیمت و زمان تحویل به شما پیشنهاد داده خواهد شد.
  5. در صورت تمایل پیش فاکتور صادر می شود.
  6. پیش پرداخت را واریز کنید و ادامه کار را به جوان الکترونیک بسپارید.
  7. اجناس خود را در زمان مقرر دریافت کنید.
86