HGTG11N120CND

نام کارخانه‌ای:
HGTG11N120CND
پکیج:
TO-247AC
بسته‌بندی:
Tube - 30 عدد

روش‌های ارسال‌ متنوع سفارش خارج چت آنلاین پیش خرید هوشمندانه


مشخصات HGTG11N120CND

HGTG11N120CND از خانواده آی جی بی تی می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند ON Semiconductor
  • پکیج TO-247AC
  • اتلاف قدرت 298 وات
  • نوع نصب روی برد Through Hole
  • ولتاژ کلکتور-امیتر 1200 ولت
  • جریان کلکتور 43 آمپر
  • نوع پیکربندی Single
  • حداقل دمای عملیاتی -55 درجه سانتیگراد
  • حداکثر دمای عملیاتی +150 درجه سانتیگراد
  • ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 2.1 ولت
  • حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 20 ولت

HGTG11N120CND
یک آیسی IGBT قدرت از سری HGTG شرکت ON Semiconductor است. این قطعه در پکیج استاندارد TO-247AC (سه‌پایه Through-Hole با زبانه‌ی فلزی) عرضه می‌شود و یک سوئیچینگ قدرت ۱۲۰۰ ولت / ۴۳ آمپر با ولتاژ اشباع پایین (۲.۱ ولت) و توان تلفاتی ۲۹۸ وات است. این IGBT به‌طور خاص برای کاربردهای توان بالا و فرکانس متوسط طراحی شده و با استفاده از فناوری NPT (Non-Punch Through)، ترکیبی از راندمان عالی، سرعت سوئیچینگ مناسب و مقاومت در برابر اتصال کوتاه را ارائه می‌دهد.

🧩 مشخصات کلی:

  • نوع: IGBT قدرت با کانال N (NPT Trench IGBT) – همراه با دیود معکوس داخلی (Co-Pack Diode)

  • ولتاژ کلکتور-امیتر (VCES): ۱۲۰۰ ولت – حاشیه‌ی امنیت فوق‌العاده برای کاربردهای متصل به شبکه‌های فشار متوسط و اینورترهای صنعتی

  • جریان نامی کلکتور (IC): ۴۳ آمپر (در دمای ۲۵ درجه سانتی‌گراد) – قابلیت سوئیچینگ بارهای سنگین

  • ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (VCE(sat)): ۲.۱ ولت – افت ولتاژ کم در حالت هدایت، بهبود بازده

  • حداکثر ولتاژ گِیت-امیتر (VGES): ±۲۰ ولت – حفاظت از اکسید گیت

  • پیکربندی: تک (Single)

  • توان تلفاتی (PD): ۲۹۸ وات (در دمای کیس ۲۵ درجه) – نیازمند هیت‌سینک مناسب

  • نوع بسته‌بندی: TO-247AC (Through-Hole) – پکیج استاندارد صنعتی با قابلیت دفع حرارت عالی

  • دمای کاری: -۵۵ تا +۱۵۰ درجه سانتی‌گراد – محدوده‌ی نظامی-صنعتی گسترده

  • برند: ON Semiconductor – یکی از معتبرترین تولیدکنندگان نیمه‌هادی قدرت

💡 کاربردهای اصلی:

  • اینورترهای صنعتی و درایوهای موتور: کنترل سرعت موتورهای AC با توان بالا در کارخانه‌جات

  • دستگاه‌های جوشکاری و برش: سوئیچینگ جریان‌های بالا

  • کوره‌های القایی و گرمایش القایی: تولید توان بالا

  • سیستم‌های UPS و منابع تغذیه‌ی اضطراری: اینورترهای خروجی

  • مبدل‌های DC-DC پرقدرت: در نیروگاه‌های خورشیدی و بادی

  • بالاست‌های الکترونیکی صنعتی: راه‌اندازی لامپ‌های تخلیه

  • پروژه‌های الکترونیک قدرت و تعمیرات: جایگزینی IGBTهای معیوب

 مزایا:

  • ولتاژ ۱۲۰۰ ولت با جریان ۴۳ آمپر: ترکیب قدرت و ایمنی برای کاربردهای ولتاژ بالا

  • ولتاژ اشباع ۲.۱ ولت: راندمان خوب و کاهش تلفات

  • فناوری NPT با مقاومت به اتصال کوتاه: ایمنی و قابلیت اطمینان بالا

  • پکیج TO-247AC: نصب و جایگزینی آسان، دفع حرارت مؤثر

  • بازه‌ی دمایی گسترده: عملکرد در شرایط سخت

🎯 جمع‌بندی:
HGTG11N120CND یک IGBT قدرت ۱۲۰۰ ولت / ۴۳ آمپر از ON Semiconductor در پکیج TO-247AC با فناوری NPT است. این قطعه با ولتاژ اشباع ۲.۱ ولت، توان تلفاتی ۲۹۸ وات و مقاومت در برابر اتصال کوتاه، یک راه‌حل مقاوم، ایمن و با راندمان خوب برای کاربردهای سوئیچینگ توان بالا، اینورترهای صنعتی، درایوهای موتور و تجهیزات جوشکاری است. اگر به دنبال یک IGBT جان‌سخت با ولتاژ ۱۲۰۰ ولت و قابلیت اطمینان بالا هستید، HGTG11N120CND انتخابی مطمئن از ON Semiconductor است.



Features انتخاب ویژگی
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1200 V =
DC Collector Current 43 A =
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V =
Configuration Single
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V =
Power Dissipation 298 W =
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 °C =
Maximum Operating Temperature +150 °C =
Brand ON Semiconductor
Package TO-247AC



نظرات

موجود در انبار
85
4,050,000 ریال
4,009,000 ریال
30 عدد
3,969,000 ریال
60 عدد
3,928,000 ریال
240 عدد
3,847,000 ریال
480 عدد
3,766,000 ریال
960 عدد