IRF7811WTRPBF

IRF7811WTRPBF
یک ترانزیستور قدرت MOSFET کانال N با مقاومت فوق‌العاده پایین و قابلیت جریان‌دهی بسیار بالا است که توسط Infineon Technologies تولید شده است. این قطعه در پکیج فشرده SO-8 برای کاربردهای سوئیچینگ قدرت با چگالی توان بسیار بالا طراحی شده است.

🧩 مشخصات کلی:

• نوع: ترانزیستور قدرت MOSFET

• کانال: N-Channel

• ولتاژ درین-سورس: ۲۸V

• جریان درین پیوسته: ۱۱A

• مقاومت روشن (RDS(on)): ۱۰mΩ

• نوع بسته‌بندی: SO-8

⚙️ مشخصات فنی کلیدی:

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (V_DSS): ۲۸V

• جریان درین پیوسته (I_D): ۱۱A (در ۲۵°C)

• مقاومت درین-سورس (RDS(on)): ۱۰mΩ (در V_GS = ۴٫۵V)

• توان قابل تحمل (P_D): ۲٫۵W

💡 کاربردهای اصلی:

• مبدل‌های DC-DC با راندمان بسیار بالا

• سیستم‌های توزیع قدرت در سرورها و تجهیزات شبکه

• مدیریت توان در پردازنده‌ها و GPUها

• درایورهای موتور DC پرتوان

• سیستم‌های باتری و مدیریت توان

• کاربردهای فضامحدود با نیاز جریان بسیار بالا

✅ مزایا:

• مقاومت روشن استثنایی: تنها ۱۰ میلی‌اهم - کمترین تلفات هدایت

• جریان‌دهی فوق‌العاده: ۱۱ آمپر در پکیج کوچک SO-8

• پکیج فشرده: SO-8 برای طراحی‌های کامپکت

• سوییچینگ بسیار سریع: مناسب برای فرکانس‌های کاری بالا

• راندمان بی‌نظیر: تلفات توان بسیار پایین

• حاشیه امنیت عالی: نسبت جریان به اندازه استثنایی

🎯 جمع‌بندی:

IRF7811WTRPBF یک MOSFET قدرت با عملکرد فوق‌العاده در کلاس خود محسوب می‌شود. این قطعه با ترکیب مقاومت RDS(on) بسیار پایین (۱۰mΩ) و قابلیت جریان‌دهی ۱۱ آمپری، راه‌حلی ایده‌آل برای کاربردهای مدرن که نیاز به چگالی توان بسیار بالا دارند، ارائه می‌دهد. پکیج SO-8 امکان طراحی فشرده را فراهم کرده، در حالی که مشخصات الکتریکی برتر، عملکرد در سطح سیستم‌های پرتوان را تضمین می‌کند. توجه به طراحی PCB بهینه برای مدیریت حرارتی و استفاده از درایور گیت مناسب برای دستیابی به حداکثر قابلیت‌های این قطعه ضروری است. این ترانزیستور گزینه‌ای برتر برای طراحی‌های مدرن نیازمند چگالی توان بسیار بالا و راندمان عالی می‌باشد.