EL817B

نام کارخانه‌ای
EL817B
پکیج
DIP-4
بسته‌بندی
Tube - 100 عدد
حداقل
150 عدد
دیتاشیت

مشخصات EL817B

EL817B از خانواده آی سی اپتو ترانزیستور می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند Everlight Electronics
  • پکیج DIP-4
  • نوع نصب روی برد Through Hole
  • تعداد کانال 1 کانال
  • نوع خروجی NPN Phototransistor
  • جریان 50 میلی آمپر
  • ولتاژ معکوس 6 ولت
  • ولتاژ کلکتور-امیتر 35 ولت
  • حداقل دمای عملیاتی -55 درجه سانتیگراد
  • حداکثر دمای عملیاتی 110 درجه سانتیگراد
  • ولتاژ جداسازی 5 کیلو ولت
  • ولتاژ مستقیم 1.2 ولت
  • جریان کلکتور 50 میلی آمپر
  • حداقل نسبت انتقال فعلی 130 درصد


Features
Number of Channels 1 Channel =
Forward Current (If) 50 mA =
Output Type NPN Phototransistor
Reverse Voltage (Vrrm) 6 V =
Collector Emitter Voltage (VCEO) 35 V =
DC Collector Current 50 mA =
Isolation Voltage 5 kVrms =
Forward Voltage (Vf) 1.2 V =
Current Transfer Ratio (Min) 130 % =
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 °C =
Maximum Operating Temperature 110 °C =
Brand Everlight Electronics
Package DIP-4




نظرات

سفارش دهید
تحویل 35 روزه