4N35M

نام کارخانه‌ای:
4N35M
پکیج:
DIP-6
بسته‌بندی:
Tube - 50 عدد
دیتاشیت:

روش‌های ارسال‌ متنوع سفارش خارج چت آنلاین پیش خرید هوشمندانه


مشخصات 4N35M

4N35M از خانواده آی سی اپتو ترانزیستور می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند ON Semiconductor
  • پکیج DIP-6
  • نوع نصب روی برد Through Hole
  • تعداد کانال 1 کانال
  • ولتاژ کلکتور-امیتر 30 ولت
  • جریان 60 میلی آمپر
  • ولتاژ معکوس 6 ولت
  • ولتاژ مستقیم 1.5 ولت
  • حداکثر دمای عملیاتی 100 درجه سانتیگراد
  • حداقل دمای عملیاتی -55 درجه سانتیگراد
  • ولتاژ جداسازی 7.5 کیلو ولت
  • نوع خروجی NPN Phototransistor
  • حداقل نسبت انتقال فعلی 100 درصد
  • جریان کلکتور 0.00005 میلی آمپر


Features انتخاب ویژگی
Number of Channels 1 Channel =
Forward Current (If) 60 mA =
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30 V =
Reverse Voltage (Vrrm) 6 V =
Output Type NPN Phototransistor
DC Collector Current 0.00005 mA =
Forward Voltage (Vf) 1.5 V =
Isolation Voltage 7.5 kVrms =
Current Transfer Ratio (Min) 100 % =
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 °C =
Maximum Operating Temperature 100 °C =
Brand ON Semiconductor
Package DIP-6




نظرات

موجود در انبار
85
188,000 ریال
186,000 ریال
100 عدد
184,000 ریال
200 عدد
182,000 ریال
500 عدد
181,000 ریال
1,000 عدد