4N25M

نام کارخانه‌ای
4N25M
پکیج
DIP-6
بسته‌بندی
Tube - 50 عدد
دیتاشیت

مشخصات 4N25M

4N25M از خانواده آی سی اپتو ترانزیستور می‌باشد. ویژگی‌های فنی این محصول براساس دیتاشیت ارایه شده از سوی تولید کننده آن به شرح زیر می باشد:

  • برند ON Semiconductor
  • پکیج DIP-6
  • نوع نصب روی برد Through Hole
  • تعداد کانال 1 کانال
  • جریان 60 میلی آمپر
  • ولتاژ معکوس 6 ولت
  • ولتاژ مستقیم 1.5 ولت
  • حداکثر دمای عملیاتی 100 درجه سانتیگراد
  • نوع خروجی NPN Phototransistor
  • ولتاژ کلکتور-امیتر 30 ولت
  • حداقل دمای عملیاتی -55 درجه سانتیگراد
  • ولتاژ جداسازی 7.5 کیلو ولت
  • نسبت انتقال فعلی 20 درصد
  • جریان کلکتور 0.00005 میلی آمپر


Features
Number of Channels 1 Channel =
Forward Current (If) 60 mA =
Reverse Voltage (Vrrm) 6 V =
Output Type NPN Phototransistor
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30 V =
DC Collector Current 0.00005 mA =
Forward Voltage (Vf) 1.5 V =
Isolation Voltage 7.5 kVrms =
Current Transfer Ratio (Min) 20 % =
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 °C =
Maximum Operating Temperature 100 °C =
Brand ON Semiconductor
Package DIP-6




نظرات

موجود
ریال 174000
  ریال
170,000 +100
169,000 +500
168,000 +1,000